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MM3280JB1NRH原装***,现货供应商18475549389 MITSUMI代理商

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  • 地   址:
    广东 深圳 宝安区 宝安区西乡西城丰和大厦A-7A
类型:驱动IC驱动芯片类型:额针脚数:6
用途:遥控品牌:ADMTEK型号:MM3280JB1NRH
封装:sot-23-6功率:19批号:15

MM3280JB1NRH原装***,现货供应商18475549389 MITSUMI代理商详细介绍

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??????過充電検出後、過充電復帰電圧より低くなると、または充電過電流検出後、充電器開放および負荷接続すると、IC内部で固定された遅延時間の後、COUT出力がHレベルになります。

TheMM3280seriesareprotectionICusinghighvoltageCMOSprocessforovercharge,overdischargeandovercurrentprotectionoftherechargeableLithium-ionorLithium-polymerbattery.Theovercharge,overdischargeanddischargingandcharging(optional)overcurrentprotectionoftherechargeableone-cellLithium-ionorLithium-polymerbatterycanbedetected.EachoftheseICcomposedoffourvoltagedetectors,shortdetectioncircuit,referencevoltagesources, oscillator, counter circuit and logical circuits.

TheCOUToutputbecomeslowlevelafterdelaytimefixedintheICifoverchargeorchargingovercurrentisdetected.TheDOUToutputbecomeslowlevelafterdelaytimefixedinICifoverdischarge, discharging overcurrent or short is detected.

過充電または充電過電流を検出すると、IC内部で固定された遅延時間の後、COUT出力がLレベルになります。また、過放電、放電過電流またはショートを検出すると、IC内部で固定された遅延時間の後、DOUT出力がLレベルになります。

Onoverchargestate,iftheVDDvoltageislessthantheoverchargereleasevoltage,oronchargingovercurrentstate,ifthechargerisreleasedandaloadisconnected,theCOUToutputbecomeshigh level after delay time fixed in ICs.

MM3280JB1

出力形態はCMOS出力です。Output type is CMOS output.

Onceoverdischargehasbeendetected,overdischargeisreleasedandtheDOUToutputbecomeshighlevel,ifthevoltageofthebatteryrisesmorethantheoverdischargereleasevoltage.Chargingcurrentcanbesuppliedtothebatterydischargedupto0V.Oncedischargingovercurrentorshorthasbeendetected,thestateofdischargingovercurrentorshortisreleasedbyopeningtheloads,andtheDOUToutputbecomeshighlevel.Inoverdischargestate,thesupplycurrentisreduced as less as possible.

過放電検出後は電池電圧が過放電復帰電圧より高くなると過放電状態から復帰し、DOUT出力がHレベルになります。0Vまで放電された電池に対しても、充電電流を流すことが可能です。放電過電流検出後および短絡検出後は、負荷開放により放電過電流状態および短絡状態から復帰し、DOUT出力がHレベルになります。過放電検出後の消費電流は、内部回路を部分的に停止させることにより極力抑えられています。

また、DS端子をVDDレベルにすることによって、短絡検出以外の遅延時間を短くすることができます。過充電検出遅延時間は約2.0msになりますので保護回路基板のテスト時間の短縮化が可能です。

Moreover,thedelaytimeotherthantheshortdetectioncanbeshortenedbymakingtheDSterminalvoltagetoVDDlevel.Theoverchargedetectiondelaytimebecomesabout2.0ms.Asaresult, the test time of the protection module can be shortened.


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