ÉîÛÚÊÐÌ©×Óµç×ÓÓÐÏÞ¹«Ë¾
ÉîÛÚÊÐÌ©×Óµç×ÓÓÐÏÞ¹«Ë¾ Èëפƽ̨ µÚ12Äê
  • ×ÊÖʺËÑéÒѺËÑéÆóÒµÓªÒµÖ´ÕÕ
  • ÕæʵÐÔºËÑéÆóÒµÒÑʵÃûÈÏÖ¤
  • ×ÊÖʺËÑéÒѺËÑéÆóÒµÓªÒµÖ´ÕÕ
  • ÕæʵÐÔºËÑéÆóÒµÒÑʵÃûÈÏÖ¤
µ±Ç°Î»Öãº
Ê×Ò³>
¹©Ó¦²úÆ·>
ÄÚ´æ FLASH DDR>
¸´µ©Î¢Ò»¼¶´úÀíÉ̹©Ó¦FM24C512A-SO-T-G,FM25F04A-SO-U-G

¸´µ©Î¢Ò»¼¶´úÀíÉ̹©Ó¦FM24C512A-SO-T-G,FM25F04A-SO-U-G

Ô­×°***

¼Û    ¸ñ

¶©»õÁ¿

  • £¤0.60 ¼Û¸ñΪÉ̼ÒÌṩµÄ²Î¿¼¼Û£¬Çëͨ¹ý"»ñÈ¡×îµÍ±¨¼Û"
    »ñµÃÄú×îÂúÒâµÄÐÄÀí¼Ûλ~

    ¡Ý50000

ºúÏÈÉú
ÓÊÏäÒÑÑéÖ¤
ÊÖ»úÒÑÑéÖ¤
΢ÐÅÒÑÑéÖ¤
𐃢𐃣𐃤 𐃥𐃦𐃦𐃤 𐃧𐃨𐃣𐃧 𐃩𐃥𐃦𐃦𐃪𐃫𐃫𐃣𐃩𐃬𐃢𐃦𐃥
΢ÐÅÔÚÏß
  • ·¢»õµØ£º¹ã¶« ÉîÛÚ
  • ·¢»õÆÚÏÞ£º3ÌìÄÚ·¢»õ
  • ¹©»õ×ÜÁ¿£º 19000000PCS
ÉîÛÚÊÐÌ©×Óµç×ÓÓÐÏÞ¹«Ë¾ Èëפƽ̨ µÚ12Äê
  • ×ÊÖʺËÑéÒѺËÑéÆóÒµÓªÒµÖ´ÕÕ
  • ÕæʵÐÔºËÑéÆóÒµÒÑʵÃûÈÏÖ¤
  • ºúÏÈÉú
    ÓÊÏäÒÑÑéÖ¤
    ÊÖ»úÒÑÑéÖ¤
    ΢ÐÅÒÑÑéÖ¤
  • 𐃢𐃣𐃤 𐃥𐃦𐃦𐃤 𐃧𐃨𐃣𐃧
  • ¹ã¶« ÉîÛÚ
  • ÒôƵ ÊÓƵ,ÒôÏì°²·À³µÔØ,ÕÕÃ÷ ³äµçÆ÷,ÄÚ´æ ÉÁ´æ

ÁªÏµ·½Ê½

  • ÁªÏµÈË£º
    ºúÏÈÉú
  • Ö°   Î»£º
    ÏúÊÛ¾­Àí
  • µç   »°£º
    𐃩𐃥𐃦𐃦𐃪𐃫𐃫𐃣𐃩𐃬𐃢𐃦𐃥
  • ÊÖ   »ú£º
    𐃢𐃣𐃤𐃥𐃦𐃦𐃤𐃧𐃨𐃣𐃧
  • µØ   Ö·£º
    ¹ã¶« ÉîÛÚ ±¦°²Çø ±¦°²ÇøÎ÷ÏçÎ÷³Ç·áºÍ´óÏÃA-7A
ÀàÐÍ£ºÇý¶¯ICÇý¶¯Ð¾Æ¬ÀàÐÍ£ºflashÕë½ÅÊý£º8
ÓÃ;£ºÒôÏìÆ·ÅÆ£ºAPEÐͺţºFM24C512A-SO-T-G
·â×°£ºSOP8¹¦ÂÊ£º18WÅúºÅ£º16

¸´µ©Î¢Ò»¼¶´úÀíÉ̹©Ó¦FM24C512A-SO-T-G,FM25F04A-SO-U-GÏêϸ½éÉÜ

The FM25G01A is a 1G-bit (128M-byte) SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash memory,

with advanced write protection mechanisms. The FM25G01A supports the standard Serial

Peripheral Interface (SPI), Dual/Quad I/O option.

2.  Features

?  1G-bit NAND Flash Memory

– Single-level cell (SLC) technology

– Page size : 2176 bytes(2048 + 128 bytes)

– Block size : 64 pages(128K + 8K bytes)

– Device size: 1Gb(1024 blocks)

?  Serial Interface

– Standard SPI: CLK, CS#, DI, DO,

WP#

– Dual SPI: CLK, CS#, DQ0, DQ1, WP#

– Quad SPI: CLK, CS#, DQ0, DQ1, DQ2,

DQ3

?  High Performance

– 108MHz for fast read

– Quad I/O data transfer up to 480Mbits/s

– 2176/2048/64/16 wrap read option

– 2K-Byte cache for fast random read

?  Advanced Security Features

– Write protect all/portion of memory via

software

– Individual Block array protection

– Lockable 16K-Byte OTP region

– 64-Bit Unique ID for each device

?  Program/Erase/Read Speed

– PAGE PRPGRAM time : 300µs typical

(without ECC)

– BLOCK ERASE time : 3ms typical

– PAGE READ time : 120µs maximum

(without ECC)

?  Single Supply Voltage : 2.7V~3.6V

?  Advanced Features for NAND

– Internal ECC option, per 512 bytes

– INTERNAL DATA MOVE by page with

ECC

– Promised golden block0

? Package

– TDFN8 (8x6mm)

– All Packages are RoHS Compliant and

Halogen-free

? Minimum 100,000 Program/Erase Cycles

? Data Retention: 20 years


ÃâÔðÉùÃ÷£º
±¾Ò³ÃæËùÕ¹ÏֵĹ«Ë¾ÐÅÏ¢¡¢²úÆ·ÐÅÏ¢¼°ÆäËûÏà¹ØÐÅÏ¢£¬¾ùÀ´Ô´ÓÚÆä¶ÔÓ¦µÄÉÌÆÌ£¬ÐÅÏ¢µÄÕæʵÐÔ¡¢×¼È·ÐԺͺϷ¨ÐÔÓɸÃÐÅÏ¢À´Ô´ÉÌÆ̵ÄËùÊô·¢²¼ÕßÍêÈ«¸ºÔ𣬹©Ó¦ÉÌÍø¶Ô´Ë²»³Ðµ£Èκα£Ö¤ÔðÈΡ£
ÓÑÇéÌáÐÑ£º
½¨ÒéÄúÔÚ¹ºÂòÏà¹Ø²úÆ·Ç°Îñ±ØÈ·ÈϹ©Ó¦ÉÌ×ÊÖʼ°²úÆ·ÖÊÁ¿£¬¹ýµÍµÄ¼Û¸ñÓпÉÄÜÊÇÐé¼ÙÐÅÏ¢£¬Çë½÷É÷¶Ô´ý£¬½÷·ÀÆÛÕ©ÐÐΪ¡£
 
½¨ÒéÄúÔÚËÑË÷²úƷʱ£¬ÓÅÏÈÑ¡Ôñ´øÓлò±êʶµÄ»áÔ±£¬¸ÃΪ¹©Ó¦ÉÌÍøVIP»áÔ±±êʶ£¬ÐÅÓþ¶È¸ü¸ß¡£

°æȨËùÓÐ ¹©Ó¦ÉÌÍø(www.gys.cn)

¾©ICP±¸2023035610ºÅ-2

ÉîÛÚÊÐÌ©×Óµç×ÓÓÐÏÞ¹«Ë¾ ÊÖ»ú£º𐃢𐃣𐃤𐃥𐃦𐃦𐃤𐃧𐃨𐃣𐃧 µç»°£º𐃩𐃥𐃦𐃦𐃪𐃫𐃫𐃣𐃩𐃬𐃢𐃦𐃥 µØÖ·£º¹ã¶« ÉîÛÚ ±¦°²Çø ±¦°²ÇøÎ÷ÏçÎ÷³Ç·áºÍ´óÏÃA-7A